氮化硅的電絕緣性能如何？
氮化硅是一種比較常見(jiàn)的鐵合金材料，因?yàn)槠湫阅茉颍诤芏囝I(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用，那么氮化硅的電絕緣緣性能如何？我們一起來(lái)了解一下？
氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能。一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列。
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